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矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。

光阻蝕刻。

III-V族化合物半導(dǎo)體（GaAsn，InP，GaN）蝕刻。

微機(jī)電系統(tǒng)。

金屬與矽蝕刻。

陽極電鍍處理鋁腔。

通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸，最大直徑可達(dá)12寸晶圓。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

具有高均勻度氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。

穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至300°C或冷卻至-20°C。

使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達(dá)2000W，可增強(qiáng)低溫下的沉積。

低損壞，高速率處理，高深寬比。

基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。

均勻的氣體擴(kuò)散，具有優(yōu)化的氣體分佈。

靜電吸盤。

蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。

可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。