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產(chǎn)品簡介
該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器
詳細介紹
| 測量范圍 | 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm； 方塊電阻：0.1～19999Ω/□； |
| 恒流源 | 電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào) |
| 數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%； 顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動顯示； |
| 四探針探頭基本指標 | 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓（總力）； |
| 四探針探頭應用參數(shù) | （見探頭附帶的合格證） |
| 模擬電阻測量相對誤差 （ 按JJG508-87進行） | 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
| 整機測量zui大相對誤差 | （用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±5% |
| 整機測量標準不確定度 | ≤5% |
| 外型尺寸 | 185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高） |
| 重量 | 350g |
| 電源 | 鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時； |
| 標準使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強光直射； |