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該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

詳細介紹

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
本儀器廣泛應用于太陽能單晶（多晶）生產廠家為硅材料的分選測試，半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。

技　術　指　標 ：

便攜式四探針測試儀按測量范圍可選配DS/RTS-2型或DS/RTS-2A型，區別：測量范圍不一樣。

DS/RTS-2測量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
DS/ RTS-2A測量范圍	電阻率：0.001～199.99Ω.cm；方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
DS/RTS-2恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續可調
DS/RTS-2A恒流源	電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續可調
數字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓（總力）；
四探針探頭應用參數	（見探頭附帶的合格證）
模擬電阻測量相對誤差（按JJG508-87進行）	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量zui大相對誤差	（用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±5%
整機測量標準不確定度	≤5%
外型尺寸	125mm（寬）145mm（高）245mm（深）
標準使用環境	溫度：23±2℃；相對濕度：≤65%；無高頻干擾；無強光直射；

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