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壓力傳感器的分為四個階段：
1發明階段（1945-1960年）
這個階段主要是以1947年雙極性晶體管的發明為標志。此后，半導體材料的這一特性得到較廣泛應用。史密斯（C.S.Smith）與1945發現了硅與鍺的壓阻效應，即當有外力作用于半導體材料時，其電阻將明顯發生變化。依據此原理制成的壓力傳感器是把應變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉化為電信號進行測量。此階段zui小尺寸大約為1cm。
2發展階段（1960-1970年）
隨著硅擴散技術的發展，技術人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩定性好、成本低、便于集成化的優點，實現了金屬-硅共晶體，為商業化發展提供了可能。
3商業化階段（1970-1980年）
在硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的腐蝕技術，擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術為主，發展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術，主要有V形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法。由于可以在多個表面同時進行腐蝕，數千個硅壓力膜可以同時生產，實現了集成化的工廠加工模式，成本進一步降低。
4微機械加工階段（1980年-）
上世紀末出現的納米技術，使得微機械加工工藝成為可能。通過微機械加工工藝可以由計算機控制加工出結構型的壓力傳感器，其線度可以控制在微米級范圍內。利用這一技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓力傳感器進入了微米階段。

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