b.剛玉管 ≤1800℃ （剛玉管不建議真空環(huán)境下使用）

C科晶管式爐管徑與坩堝尺寸估算表

3、根據(jù)溫區(qū)選擇管式爐

管式爐溫區(qū)的作用

根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求選擇單溫區(qū)管式加熱爐和多溫區(qū)管式加熱爐，多溫區(qū)較單溫區(qū)設(shè)有多個(gè)熱電偶，n溫區(qū)加熱爐恒溫區(qū)比（n-1）溫區(qū)加熱爐的恒溫區(qū)要長，部分儀器尺寸變大。

（1）恒溫區(qū)的作用

恒溫區(qū)一般指加熱爐內(nèi)的某一溫度相同的區(qū)間，樣品放置在這一區(qū)間內(nèi)，樣品各處受到的溫度會(huì)基本一致。（中心區(qū)域溫度差小于±1℃）

（2）恒溫區(qū)不同帶來的變化

恒溫區(qū)的增加或減少可能會(huì)改變儀器的尺寸，儀器整體會(huì)變大或變小。

（3）恒溫區(qū)選擇

選擇合適的恒溫區(qū)，一定要先根據(jù)樣品的尺寸或?qū)嶒?yàn)要求的受熱體積來選擇。

A、實(shí)驗(yàn)樣品尺寸大于儀器恒溫區(qū)，需要選擇多溫區(qū)來增加恒溫區(qū)的長度。

B、根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求需要多個(gè)溫度梯度時(shí)，這就需要多溫區(qū)來實(shí)現(xiàn)。

例如：通過物理沉積方式在基片上生長二維材料，原料高溫?fù)]發(fā)后，利用載氣向低壓端移動(dòng)，一定溫度下載基片上生長。（相鄰兩個(gè)溫區(qū)最大溫差300℃）

請注意加熱爐加熱區(qū)分為總加熱區(qū)長度(加熱源能覆蓋的區(qū)域)和恒溫區(qū)長度。恒溫區(qū)總是小于加熱區(qū)。請選擇一個(gè)恒溫區(qū)尺寸超過您樣品的加熱爐。

4、根據(jù)功能選擇加熱爐
管式爐為基礎(chǔ)加熱系統(tǒng)，您可以根據(jù)不同的需求選擇成套科晶系統(tǒng)，如CVD、 PECVD、HPCVD、ALD、石墨烯和二維材料生長系統(tǒng)等。

例如：

（1）生長石墨烯/PECVD系統(tǒng)，整個(gè)系統(tǒng)包括加熱爐系統(tǒng)、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、通風(fēng)系統(tǒng)、氫氣報(bào)警系統(tǒng)。

（2）立式管式爐：加熱管垂直放置，以懸吊樣品的方式，為樣品提供淬火。
（3）RTP(快速熱處理加熱爐):可以對樣品進(jìn)行快速加熱和快速冷卻。

例如：

a.OTF-1200X-4-RTP快速退火管式爐，最快50℃/s升溫速度，紅外燈管加熱。

b.OTF-1200X-50-S 迷你型快速加熱冷卻爐，加熱爐加熱到某一溫度后，滑至樣品所在區(qū)域，可以提高升溫速度，熱處理結(jié)束，將爐體移開，使樣品所在區(qū)域暴露在爐膛外快速冷卻。

（4）高溫高壓爐/真空爐:特殊設(shè)計(jì)的鎳鉻合金和不銹鋼爐管，對樣品進(jìn)行高溫高壓和真空處理。

（5）旋轉(zhuǎn)管式爐:爐管旋轉(zhuǎn)式結(jié)構(gòu)可以更均勻的熱處理粉末，同時(shí)也可以達(dá)到粉末均勻包覆的效果。

（6）氫氣爐/氣氛爐:氫氣處理或其他危險(xiǎn)氣體的實(shí)驗(yàn)，請和銷售技術(shù)人員提前說明。不建議使用普通管式爐做危險(xiǎn)實(shí)驗(yàn)。

5、選擇有相關(guān)認(rèn)證的管式爐

·合肥科晶所有爐子的電子元器件均采用UL認(rèn)證器件。

·合肥科晶保證加熱爐可單臺(tái)可通過認(rèn)證（可能會(huì)產(chǎn)生部分認(rèn)證費(fèi)用，具體請咨詢銷售）。

6、選擇合適的真空泵:本公司多種真空泵可選

7、定制爐：定制爐由于其特殊性請和銷售部直接溝通

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管式爐的選擇