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共蒸發(fā)-共濺射法制備的CIGS太陽能電池薄膜的剝蝕和光譜特征比較

時(shí)間:2020-6-17 閱讀:881
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本文研究了在鍍Mo膜鈉鈣玻璃(SLG)上共濺射和共蒸發(fā)工藝制備的CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)吸收膜中主要和次要化學(xué)成分的LIBS光譜的影響。結(jié)果表明,共濺射技術(shù)制備的CIGS層的單脈沖剝燒蝕率高于共蒸發(fā)技術(shù)制備的CIGS層,從而導(dǎo)致各組分的LIBS信號(hào)強(qiáng)度較高。通過對(duì)輻照表面形貌和LIBS信號(hào)強(qiáng)度變化的研究,發(fā)現(xiàn)共濺射技術(shù)制備的CIGS薄膜存在元素分餾現(xiàn)象,而共蒸發(fā)技術(shù)制備的CIGS薄膜沒有元素分餾現(xiàn)象。通過x射線衍射檢測,證實(shí)了兩種不同類型CIGS吸收膜的剝蝕和光譜特性的差異是導(dǎo)致其結(jié)晶性能差異的原因。此外,LIBS可以有效地測定從SLG擴(kuò)散而來的CIGS薄膜中鈉濃度的深度剖析。

2. 用共蒸發(fā)和共濺射制備CIGS吸收膜的典型LIBS譜(門延遲=0.5μs

2中較高的光譜強(qiáng)度和圖5中較高的計(jì)算電子數(shù)密度證實(shí)了濺射膜上發(fā)生了更強(qiáng)的原子化和離子化作用。由于兩種薄膜的激光剝蝕條件相同,所觀察到的濺射薄膜中CIGS元素的高發(fā)射線強(qiáng)度與剝蝕速率增強(qiáng)有關(guān)。為驗(yàn)證濺射膜和蒸發(fā)膜的剝蝕速率差異,研究了濺射膜和蒸發(fā)膜的光譜隨激光脈沖數(shù)的變化。具體來說,兩種樣品的LIBS光譜記錄如圖6(a)和圖6(b)所示,利用在386.411nm390.296 nm處檢測Mo發(fā)射譜線來確定Mo層的激光剝蝕開始的點(diǎn)。注意,兩種類型的CIGS薄膜厚度是相同的,均為1.23μmInGaMo強(qiáng)度的變化按10個(gè)脈沖的大值歸一化,總結(jié)為激光脈沖數(shù)的函數(shù),如圖7所示。在濺射膜的情況下(7 (a)) Mo峰的強(qiáng)度在第4次脈沖時(shí)急劇增加,說明需要4次激光脈沖才能去除整個(gè)CIGS層。相反,GaIn的峰強(qiáng)在第4次脈沖后迅速下降。對(duì)于蒸發(fā)膜,在第8次脈沖時(shí)觀察到Mo峰強(qiáng)度的增加和InGa強(qiáng)度的下降(圖7 (b))。對(duì)這兩種類型的CIGS薄膜剝蝕表面的觀察發(fā)現(xiàn),剝蝕和剝蝕坑形態(tài)特征*不同,如圖8所示。注意,兩個(gè)樣品的表面在激光照射前有相似的結(jié)構(gòu)。首先,圖8(a)和圖8(b)中剝蝕坑的低放大率(x250)圖像顯示,兩種樣品的CIGS薄膜幾乎被整個(gè)激光點(diǎn)均勻地剝蝕了,直到脈沖數(shù)增加時(shí)出現(xiàn)了一些不均勻的剝蝕坑底部輪廓。然而,*脈沖之后,濺射膜的表面開始出現(xiàn)多孔的外觀(8(a)),這可能是由于不同組成元素的部分剝蝕造成的。隨著脈沖數(shù)的增加,由于剝蝕表面的熔化和隨后的再凝固,表面的多孔外觀變得不那么明顯。在第4次脈沖時(shí),中間的CIGS層破裂,顯露出底層(Mo),這標(biāo)志著圖7(a)中第4次脈沖時(shí)Mo信號(hào)強(qiáng)度急劇增加。注意圖7(a)中濺射膜的Ga線強(qiáng)度在第四次激光脈沖時(shí)增大,而In峰則呈連續(xù)下降趨勢,這就表示不同組成元素的優(yōu)先汽化。如果進(jìn)行LIBS分析時(shí),假設(shè)峰值強(qiáng)度與樣品的原始成分成正比,那么觀察到的濺射薄膜的元素分餾可能成為CIGS層元素成分測量誤差的來源。另一方面,蒸發(fā)膜在*脈沖剝蝕后呈現(xiàn)出*不同的表面形貌,即表面均勻熔化,沒有氣孔(8(b))。隨著脈沖數(shù)的增加,蒸發(fā)膜的表面形貌幾乎保持不變,直到第七次脈沖剝蝕時(shí),膜的中部發(fā)生破裂,這也標(biāo)志著圖7(b)Mo信號(hào)強(qiáng)度的突然增加。通過激光脈沖26觀察到的蒸發(fā)膜燒蝕表面形態(tài)的一致性可能表示是減少元素分餾來去除質(zhì)量,使得圖7(b)GaIn峰的強(qiáng)度比更加一致。這些結(jié)果表明,僅考慮蒸發(fā)膜的LIBS強(qiáng)度測量就可以得到更準(zhǔn)確的元素濃度估計(jì)值。

 

6. (a)濺射膜和(b)蒸發(fā)膜中在386.411 nm390.296 nmMo譜線的LIBS

7. (a)濺射膜和(b)蒸發(fā)膜的InGaMo峰的歸一化強(qiáng)度隨激光脈沖數(shù)的變化

在本研究中,使用LIBS對(duì)應(yīng)用共濺射法和共蒸發(fā)法制備的兩種CIGS薄膜太陽能電池的吸收層進(jìn)行了元素分析,研究了制備工藝對(duì)LIBS光譜的影響。結(jié)果表明,濺射膜中各組成元素的LIBS強(qiáng)度明顯高于相同組成、相同厚度的蒸發(fā)膜。相反,濺射膜揭示了不同元素可能優(yōu)先汽化的證據(jù),通過LIBS對(duì)元素組成進(jìn)行精確計(jì)算這是必須要考慮到的。另一方面,蒸發(fā)膜在單線強(qiáng)度上表現(xiàn)出高度的一致性。兩種不同方法制備的CIGS薄膜在LIBS信號(hào)特性上的差異是由兩種方法制備的CIGS層的晶體特性的根本差異引起的。這些結(jié)果證實(shí)了CIGS太陽能電池的LIBS元素分析的關(guān)鍵參數(shù)應(yīng)該包括制造工藝和所得到的材料特性。

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