測量范圍 | 電阻率：0.001～200Ω.cm（可擴展）；
方塊電阻：0.01～2000Ω/□（可擴展）；
電導率：0.005～1000 s/cm；
電阻：0.001～200Ω.cm；
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可測晶片直徑 | 140mmX150mm（配S-2A型測試臺）；
200mmX200mm（配S-2B型測試臺）；
400mmX500mm（配S-2C型測試臺）； |
恒流源 | 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調 |
數字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數字顯示；極性、超量程自動顯示； |
四探針探頭基本指標 | 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）； |
四探針探頭應用參數 | （見探頭附帶的合格證） |
模擬電阻測量相對誤差
（ 按JJG508-87進行） | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
整機測量zui大相對誤差 | （用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±5% |
整機測量標準不確定度 | ≤5% |
計算機通訊接口 | 并口 |
標準使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射； |
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