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本實驗裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。可觀測半導體的霍爾效應和磁阻效應兩種物理規律，及其作為磁測量不同應用，具有研究性和相關性的實驗特點，適合于基礎物理實驗和綜合性物理實驗。
主要參數及性能：
1、IM：勵磁電流，直流0~900mA連續可調，3位半數顯；
2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續可調，3位半數顯；
3、數字式磁場強度和磁阻電壓測量：
磁場強度0~999mT，準確率1%；
磁阻電壓0~2000mV，準確率為0.5%。
本實驗裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。可觀測半導體的霍爾效應和磁阻效應兩種物理規律，及其作為磁測量不同應用，具有研究性和相關性的實驗特點，適合于基礎物理實驗和綜合性物理實驗。
主要參數及性能：
1、IM：勵磁電流，直流0~900mA連續可調，3位半數顯；
2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續可調，3位半數顯；
3、數字式磁場強度和磁阻電壓測量：
磁場強度0~999mT，準確率1%；
磁阻電壓0~2000mV，準確率為0.5%。
