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　　直流等離子磁控濺射鍍膜儀是一種小型直流（DC）等離子磁控濺射鍍膜系統，該系統包括所有必需的附件，如500W（600V）直流電源、2英寸磁控濺射頭、石英真空室、真空泵和溫度控制器。主要由濺射真空室、磁控濺射靶材、樣品臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機和真空測量裝置組成。高真空濺射可用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料。具有設備簡單、易控制、涂布面積大、附著力強等優點，可用于大專院校和科研院所的薄膜材料的研究和制備。

　　

　　直流等離子磁控濺射鍍膜儀濺射鍍膜的原理是異常輝光放電中的稀有氣體產生的等離子體在電場作用下轟擊陰極靶材表面，濺射靶材表面的分子、原子、離子和電子。濺射出來的粒子具有一定的動能，以一定的方向射向基板表面，在基板表面形成涂層。濺射過程中產生的快電子在正交電磁場中作近似擺線運動，增加了電子沖程，提高了氣體的電離率。同時，高能粒子與氣體碰撞后失去能量，基板溫度較低。涂層可在非耐溫材料上完成。

　　

　　為了直流等離子磁控濺射鍍膜儀獲得更好的金屬膜，特別是對于容易氧化的金屬，如Al、Mg和Li，必須引入高純度惰性氣體（>5N）。強烈建議采用PPM電極的氣體凈化系統（鋼瓶中的惰性氣體經過凈化系統后引入真空室）。我們還可以在設備中安裝射頻（RF）電源，以濺射非導電靶材以制備非金屬薄膜。