產品關鍵詞：轉移特性測試.輸出特性測試,遷移率測試,線性區遷移率提取,飽和區遷移率提取,遷移率的霍爾測量,晶體管輸運特性測試,變溫遷移率測試系統,顯微系統耦合

產品特點

1. 半導體參數分析儀驅動的遷移率測試

基于 高精度直流源測量單元（SMU），通過 場效應晶體管（FET）傳輸特性擬合、空間電荷限制電流（SCLC）模型 等方法，精準提取 載流子遷移率（單位：）。半導體參數分析儀具備 fA 級電流分辨率 與 mV 級電壓精度，支持 寬量程掃描（nA~mA 電流、0~100V 電壓），適配 MOSFET、薄膜晶體管（TFT）、半導體薄膜 等器件測試，同步解析 閾值電壓、亞閾值擺幅、接觸電阻 等關鍵電學參數，為 電荷輸運機制（如彈道輸運、散射效應） 提供定量分析依據。

2. 變溫遷移率測試系統

集成 閉環溫控模塊（溫度范圍覆蓋 -196℃（液氮制冷）~300℃（加熱臺），控溫精度 ±0.1℃），與半導體參數分析儀聯動，實現 “溫度 - 電學” 同步采集。通過變溫測試：

解析 載流子散射機制（如高溫下聲子散射增強導致遷移率衰減，低溫下雜質散射主導的輸運行為）；

定位 器件熱穩定性瓶頸（如功率器件高溫遷移率退化、柔性電子低溫性能衰減）；

適配 高溫電子學、柔性器件、寬禁帶半導體（如 GaN） 等領域的可靠性研究。

3. 顯微系統耦合技術

支持與 光學顯微鏡（明場 / 暗場 / 熒光，微米級分辨率）、掃描探針顯微鏡（SPM，納米級分辨率）、激光共聚焦顯微鏡 深度耦合：

通過 顯微定位系統（亞微米精度），鎖定 微區目標（如器件溝道、異質結界面、缺陷位點） 開展遷移率測試；

同步獲取 “形貌 - 電學” 關聯數據（如觀察鈣鈦礦晶粒邊界時，測試該區域載流子輸運特性），突破傳統宏觀測試的 “空間均勻性假設”，揭示 微觀結構（如晶粒尺寸、界面態）對遷移率的影響規律，助力 缺陷工程、異質結優化 等研究。

4. 光場耦合測試能力

集成 寬光譜光場模塊（波長覆蓋 紫外（200nm）~ 近紅外（1700nm），支持連續光 / 納秒脈沖光調控，光強范圍，實現 光激發下的遷移率測試：

采用 光電導法、光電流法，分析 光生載流子的產生、輸運、復合動力學（如光電器件中遷移率隨光強的變化規律）；

支持 “柵壓 + 光強” 雙變量掃描，解析 光 - 電協同調控機制（如鈣鈦礦光伏器件中光生載流子的遷移率優化）；

適配 光敏材料（量子點、有機半導體）、光探測器、光伏電池 等光電器件的 光響應特性與機理研究。