| 應用領域 | 醫療衛生,環保,生物產業,電子/電池,道路/軌道/船舶 | 波長 | 1260-1650nm |
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光波導高速可調陣列光衰減器
產品描述：
具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態芯片，具有百納秒級的響應速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統VOA提升4個數量級，達到100ns級，使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求，*的集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態波導芯片使其具備的可靠性。
關鍵特征：
100ns級高速響應、多至48通道單片集成、全固態波導芯片、超低光損耗。
典型應用：
通道間光功率均衡或阻塞、WDM網絡光功率控制、1×1光開關、模擬信號調制（靜態穩定、無需工作點反饋控制回路）。
主要指標（典型值）：
性能指標 | 單位 | 干涉型 | 吸收型 | 備注 |
工作波長 | nm | 1525～1565 | ||
響應時間 | ns | 150 | 300 | |
插入損耗 | dB | 1.5 | 1.2 | 光纖進到光纖出的損耗 |
衰減范圍 | dB | 18 | 25 | |
偏振相關性 | dB | ≤0.3 | ≤0.3 | @0dB衰減時 |
≤4 | ≤0.5 | @0~25d衰減時 | ||
功耗(@18dB衰減) | mW | 30 | 150 | 隨衰減量增大而增大 |
集成度 | / | 8CH | 6CH/48CH | |
注：根據綜合性能指標要求，芯片可基于上述兩類結構組合設計。
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